IXTN32P60P
Módulo; transístor individual; -600V; -32A; SOT227B; roscado; 890W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN32P60P
Símbolo TME:
IXTN32P60P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | -600V | |
Corrente de dreno | -32A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,35Ω | |
Corrente de dreno em impulso | -96A | |
Potência dissipada | 890W | |
Tecnologia | PolarP™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 196nC | |
Tempo de prontidão | 480ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto38.3 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXTN32P60PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 45.63 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 45.63 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 41.06 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 41.06 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 36.26 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 36.26 USD
Produto raramente disponível
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens