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IXTN40P50P

Módulo; transístor individual; -500V; -40A; SOT227B; roscado; 890W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTN40P50P
Símbolo TME:
IXTN40P50P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
-500V
Corrente de dreno
-40A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
0,23Ω
Corrente de dreno em impulso
-120A
Potência dissipada
890W
Tecnologia
PolarP™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
205nC
Tempo de prontidão
477ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto36.87 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXTN40P50P
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 36.14 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 36.14 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 31.76 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 31.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 30.65 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 30.65 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 29.36 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 29.36 USD
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Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens