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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 40V | |
Corrente de dreno | 600A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 1,3mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 1,8kA | |
Potência dissipada | 940W | |
Tecnologia | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 590nC | |
Tempo de prontidão | 100ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |