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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão dreno-fonte	40V
Corrente de dreno	660A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Polarização	unipolar
Resistência no estado de condução	0,85mΩ
Corrente de dreno em impulso	1,8kA
Potência dissipada	1,04kW
Tecnologia	TrenchT4™
Espécie de canal	enriquecido
Carga da porta	0,86µC
Tempo de prontidão	60ns
Tensão descarga-fonte	±15V
Montagem mecânica	roscado

IXTN660N04T4

Módulo; transístor individual; 40V; 660A; SOT227B; roscado; 1040W

Especificação