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IXTN80N30L2

Módulo; transístor individual; 300V; 80A; SOT227B; roscado; 735W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTN80N30L2
Símbolo TME:
IXTN80N30L2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
300V
Corrente de dreno
80A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
38mΩ
Corrente de dreno em impulso
200A
Potência dissipada
735W
Tecnologia
Linear L2™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
660nC
Tempo de prontidão
485ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto30 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXTN80N30L2
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 34.08 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 34.08 USD
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