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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão dreno-fonte	-200V
Corrente de dreno	-90A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Polarização	unipolar
Resistência no estado de condução	44mΩ
Corrente de dreno em impulso	-270A
Potência dissipada	890W
Tecnologia	PolarP™
Espécie de canal	enriquecido
Carga da porta	205nC
Tempo de prontidão	315ns
Tensão descarga-fonte	±30V
Montagem mecânica	roscado

IXTN90P20P

Módulo; transístor individual; -200V; -90A; SOT227B; roscado; 890W

Especificação