IXXN110N65B4H1
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXXN110N65B4H1
Símbolo TME:
IXXN110N65B4H1
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 650V | |
Corrente do coletor | 110A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 650A | |
Potência dissipada | 750W | |
Tecnologia | GenX4™, XPT™ | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXXN110N65B4H1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 32.19 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 32.19 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 28.64 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 28.64 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 24.19 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 24.19 USD