IXYN100N120B3H1
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 76A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXYN100N120B3H1
Símbolo TME:
IXYN100N120B3H1
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 76A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 480A | |
Potência dissipada | 690W | |
Tecnologia | GenX3™, XPT™ | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXYN100N120B3H1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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