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IXYN100N120C3H1

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXYN100N120C3H1
Símbolo TME:
IXYN100N120C3H1

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
62A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
440A
Potência dissipada
690W
Tecnologia
GenX3™, XPT™
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.22 g
Certificados
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IXYN100N120C3H1
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Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 36.98 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 36.98 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens