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IXYN100N65B3D1

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXYN100N65B3D1
Símbolo TME:
IXYN100N65B3D1

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
100A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
490A
Potência dissipada
600W
Tecnologia
GenX3™, XPT™
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto30 g
Certificados
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IXYN100N65B3D1
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 37.47 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 37.47 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 33.76 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 33.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 29.82 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 29.82 USD