IXYN82N120C3H1
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXYN82N120C3H1
Símbolo TME:
IXYN82N120C3H1
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 66A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 320A | |
Potência dissipada | 500W | |
Tecnologia | GenX3™, XPT™ | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.22 g
Certificados
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* IXYN82N120C3H1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 53.83 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 53.83 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens