MCNA120UI2200TED
Módulo: IGBT; díodo/tirístor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
MCNA120UI2200TED
Símbolo TME:
MCNA120UI2200TED
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | díodo/tirístor/IGBT | |
Topologia | boost chopper, ponte trifásica de díodos - tirístores, termístor NTC | |
Tensão máxima inversa | 2,2kV | |
Corrente do coletor | 80A | |
Caixa | E2-Pack | |
Aplicação | inversor | |
Montagem elétrica | Press-in PCB | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 150A | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto10 g
Certificados
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* MCNA120UI2200TEDQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 182.57 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 182.57 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 162.93 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 162.93 USD
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 145.60 USDPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 145.60 USD