+1 500 000 produtos na nossa oferta

7000 encomendas enviadas diariamente

+300 000 clientes de 150 países

QuickBuy Favoritos
Carrinho

Vimos por este meio informar de que somente aceitamos encomendas de clientes empresariais.

MDNA360UB2200PTED

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1,7kV

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
MDNA360UB2200PTED
Símbolo TME:
MDNA360UB2200PTED

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,7kV
Corrente do coletor
135A
Caixa
E2-Pack
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
280A
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
*
MDNA360UB2200PTED
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 188.91 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 188.91 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)