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MID200-12A4

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; NPT

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
MID200-12A4
Símbolo TME:
MID200-12A4

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
180A
Caixa
Y3-DCB
Aplicação
motores
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
360A
Potência dissipada
1,13kW
Tecnologia
NPT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto10 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
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MID200-12A4
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 188.37 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 188.37 USD
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 167.94 USDPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 167.94 USD
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 150.92 USDPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 150.92 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)