MIEB101H1200EH
Módulo: IGBT; transístor/transístor; ponte H; Urmax: 1,2kV; 630W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
MIEB101H1200EH
Símbolo TME:
MIEB101H1200EH
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor/transístor | |
Topologia | ponte H | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 128A | |
Caixa | E3-Pack | |
Aplicação | fotovoltaico, motores | |
Montagem elétrica | Press-in PCB | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 200A | |
Potência dissipada | 630W | |
Tecnologia | Sonic FRD™, SPT+ | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto10 g
Certificados
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* MIEB101H1200EHQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 199.20 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 199.20 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 175.76 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 175.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 158.19 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 158.19 USD