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MII75-12A3

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Ic: 60A


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
MII75-12A3
Símbolo TME:
MII75-12A3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
60A
Caixa
Y4-M5
Aplicação
fotovoltaico, motores, para bomba, ventiladores
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
100A
Potência dissipada
370W
Tecnologia
NPT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto10 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
*
MII75-12A3
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 77.16 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 77.16 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 68.20 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 68.20 USD
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 61.28 USDPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 61.28 USD