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MIXA61H1200ED

Módulo: IGBT; transístor/transístor; ponte H; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
MIXA61H1200ED
Símbolo TME:
MIXA61H1200ED

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
ponte H
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
60A
Caixa
E2-Pack
Aplicação
fotovoltaico, motores
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
150A
Potência dissipada
290W
Tecnologia
Sonic FRD™, XPT™
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto10 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
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MIXA61H1200ED
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 110.62 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 110.62 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 97.75 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 97.75 USD
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 87.80 USDPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 87.80 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)