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MIXA61WB1200TEH

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; XPT™


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
MIXA61WB1200TEH
Símbolo TME:
MIXA61WB1200TEH

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, ponte IGBT trifásico, retificador 3-fásico, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
190A
Caixa
E3-Pack
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tecnologia
XPT™
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
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MIXA61WB1200TEH
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 163.08 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 163.08 USD
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Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 129.30 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 129.30 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Multiplicidade: 1.