MKI100-12F8
Módulo: IGBT; díodo/transístor; ponte H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
MKI100-12F8
Símbolo TME:
MKI100-12F8
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | díodo/transístor | |
Topologia | ponte H | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 125A | |
Caixa | E3-Pack | |
Montagem elétrica | Press-in PCB | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 200A | |
Potência dissipada | 640W | |
Tecnologia | HiPerFRED™, NPT | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto300 g
Certificados
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* MKI100-12F8Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 260.95 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 260.95 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 235.55 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 235.55 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 207.83 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 207.83 USD