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MSC012SMC120B4N

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 350A; 577W


Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY

Referência do Fabricante:
MSC012SMC120B4N
Símbolo TME:
MSC012SMC120B4N

Especificação

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
84A
Corrente de dreno em impulso
350A
Potência dissipada
577W
Caixa
TO247-4-notch
Resistência no estado de condução
22mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
194nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Família
SMC
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
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MSC012SMC120B4N
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 33.50 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 33.50 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 30.11 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 30.11 USD
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Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.