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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 700V | |
Corrente de dreno | 54A | |
Corrente de dreno em impulso | 192A | |
Potência dissipada | 283W | |
Caixa | TO247-4 | |
Resistência no estado de condução | 44mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 99nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin | |
Embalagem padrão do fabricante | 30unid. | |
Família | SMA |