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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transístor	N-MOSFET
Tecnologia	SiC
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	3,3kV
Corrente de dreno	27A
Corrente de dreno em impulso	107A
Potência dissipada	439W
Caixa	TO247-4-notch
Resistência no estado de condução	106mΩ
Montagem	THT
Carga da porta	161nC
Espécie de embalagem	tubo
Espécie de canal	enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores	derivação Kelvin
Embalagem padrão do fabricante	30unid.
Família	SMA

MSC080SMA330B4N

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3,3kV; 27A; Idm: 107A; 439W

Especificação

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca