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NCP5111DR2G

IC: driver; meia ponte IGBT,meia ponte MOSFET; SO8; -500÷250mA

Documentação EN

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NCP5111DR2G
Símbolo TME:
NCP5111DR2G

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de circuito integrado
driver
Topologia
meia ponte IGBT, meia ponte MOSFET
Espécie de circuito integrado
controlador de portas, high-/low-side
Caixa
SO8
Corrente de saída
-500...250mA
Número de canais
2
Montagem
SMD
Temperatura de trabalho
-40...125°C
Tempo de subida de impulso
160ns
Tempo de descida de impulso
75ns
Espécie de embalagem
fita, rolo
Classe de tensão
600V
Segurança
sobtensão UVP
Tensão de alimentação
  • 10...20V DC
Peso bruto0.1 g
Certificados

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Multiplicidade: 1.