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NCP5181DR2G

IC: driver; meia ponte IGBT,meia ponte MOSFET; SO8; -2,2÷1,4A

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NCP5181DR2G
Símbolo TME:
NCP5181DR2G

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de circuito integrado
driver
Topologia
meia ponte IGBT, meia ponte MOSFET
Espécie de circuito integrado
controlador de portas, high-/low-side
Caixa
SO8
Corrente de saída
-2,2...1,4A
Número de canais
2
Montagem
SMD
Temperatura de trabalho
-40...125°C
Tempo de subida de impulso
60ns
Tempo de descida de impulso
40ns
Espécie de embalagem
fita, rolo
Classe de tensão
600V
Segurança
sobtensão UVP
Tensão de alimentação
  • 10...20V DC
Peso bruto0.14 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Drivers MOSFET/IGBT ONSEMI,
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NCP5181DR2G
1668 em stock na TME
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Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 1.39 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 1.39 USD
Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 1.34 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 1.34 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 1.24 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 1.24 USD
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Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
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