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Fabricante: NTE Electronics
Fabricante | NTE Electronics | |
Tipo de transístor | P-MOSFET | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -200V | |
Corrente de dreno | -6,8A | |
Corrente de dreno em impulso | -44A | |
Potência dissipada | 125W | |
Caixa | TO220 | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 0,5Ω | |
Montagem | THT | |
Espécie de canal | enriquecido |