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Fabricante	NTE Electronics
Tipo de transístor	IGBT
Tensão coletor-emissor	1,2kV
Corrente do coletor	25A
Potência dissipada	200W
Caixa	TO3P
Tensão porta - emissor	±20V
Corrente do coletor no impulso	50A
Montagem	THT
Tempo de ligação	0,4µs
Tempo de desligar	0,8µs

NTE3323

Transístor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P

Especificação