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NTJD4152PT1G

Transístor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -880mA; 181mW; SC88; ESD

Família de produtos

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NTJD4152PT1G
Símbolo TME:
NTJD4152PT1G

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transístor
P-MOSFET x2
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
-20V
Corrente de dreno
-880mA
Potência dissipada
181mW
Caixa
SC88
Tensão descarga-fonte
±12V
Resistência no estado de condução
0,26Ω
Montagem
SMD
Carga da porta
2,2nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Versão
ESD
Peso bruto0.01 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores multi-canal ONSEMI,
*
NTJD4152PT1G
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Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 0.24 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 0.24 USD
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Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.