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NXH004P120M3F2PTNG

Módulo; transístor/transístor; 1,2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NXH004P120M3F2PTNG
Símbolo TME:
NXH004P120M3F2PTNG

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
338A
Caixa
PIM36
Topologia
meia ponte MOSFET
Montagem elétrica
Press-in PCB
Resistência no estado de condução
7,5mΩ
Corrente de dreno em impulso
676A
Potência dissipada
1098W
Tecnologia
SiC
Tensão descarga-fonte
-10...22V
Espécie de embalagem
embalagem
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules ONSEMI,
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NXH004P120M3F2PTNG
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Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 214.93 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 214.93 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 20)