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NXH006P120MNF2PTG

Módulo; transístor/transístor; 1,2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NXH006P120MNF2PTG
Símbolo TME:
NXH006P120MNF2PTG

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
304A
Caixa
PIM36
Topologia
meia ponte MOSFET
Montagem elétrica
Press-in PCB
Resistência no estado de condução
7,28mΩ
Corrente de dreno em impulso
912A
Potência dissipada
950W
Tecnologia
SiC
Tensão descarga-fonte
-15...25V
Espécie de embalagem
embalagem
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules ONSEMI,
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NXH006P120MNF2PTG
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Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 219.52 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 219.52 USD
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