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NXH007F120M3F2PTHG

Módulo; transístor/transístor; 1,2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NXH007F120M3F2PTHG
Símbolo TME:
NXH007F120M3F2PTHG

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
149A
Caixa
PIM34
Topologia
ponte H
Montagem elétrica
Press-in PCB
Resistência no estado de condução
15,9mΩ
Corrente de dreno em impulso
447A
Potência dissipada
353W
Tecnologia
SiC
Tensão descarga-fonte
-10...22V
Espécie de embalagem
embalagem
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules ONSEMI,
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NXH007F120M3F2PTHG
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Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 167.29 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 167.29 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 20)