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Fabricante	ONSEMI
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	transístor/transístor
Tensão dreno-fonte	1,2kV
Corrente de dreno	145A
Caixa	PIM18
Topologia	meia ponte MOSFET
Montagem elétrica	Press-in PCB
Resistência no estado de condução	18,1mΩ
Corrente de dreno em impulso	436A
Potência dissipada	382W
Tecnologia	SiC
Tensão descarga-fonte	-10...22V
Espécie de embalagem	embalagem
Montagem mecânica	roscado

NXH008P120M3F1PTG

Módulo; transístor/transístor; 1,2kV; 145A; PIM18; Press-in PCB

Especificação