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NXH010P120MNF1PG

Módulo; transístor/transístor; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NXH010P120MNF1PG
Símbolo TME:
NXH010P120MNF1PG

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
114A
Caixa
PIM18
Topologia
meia ponte MOSFET
Montagem elétrica
Press-in PCB
Resistência no estado de condução
14,5mΩ
Corrente de dreno em impulso
228A
Potência dissipada
413W
Tecnologia
SiC
Tensão descarga-fonte
-15...25V
Espécie de embalagem
embalagem
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH010P120MNF1PG
0 em stock na TME
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 28)
Produto para encomenda especial