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NXH450B100H4Q2F2PG

Módulo: IGBT; díodo SiC/transístor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NXH450B100H4Q2F2PG
Símbolo TME:
NXH450B100H4Q2F2PG

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo SiC/transístor
Tensão máxima inversa
1kV
Corrente do coletor
450A
Aplicação
inversor, para UPS
Montagem elétrica
Press-Fit
Tensão porta - emissor
±20V
Tecnologia
SiC
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH450B100H4Q2F2PG
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Preço líquido para as quantidades de 36 itens - 180.17 USDPreço bruto para as quantidades de 36 itens - 180.17 USD
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