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NXH600N65L4Q2F2SG

Módulo: IGBT; díodo/transístor; Urmax: 650V; Ic: 600A; PIM41; SiC


Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
NXH600N65L4Q2F2SG
Símbolo TME:
NXH600N65L4Q2F2SG

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
inversor de três níveis monofásico, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
600A
Caixa
PIM41
Aplicação
inversor, para UPS
Tensão porta - emissor
±20V
Tecnologia
SiC
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH600N65L4Q2F2SG
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Multiplicidade: 36.