PMDPB95XNE2X
Transístor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 1,7A; Idm: 11A; ESD
Fabricante: NEXPERIA
Referência do Fabricante:
PMDPB95XNE2X
Símbolo TME:
PMDPB95XNE2X
Especificação
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transístor | N-MOSFET x2 | |
Tecnologia | Trench | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 30V | |
Corrente de dreno | 1,7A | |
Corrente de dreno em impulso | 11A | |
Caixa | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tensão descarga-fonte | ±12V | |
Resistência no estado de condução | 0,17Ω | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 4,5nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Versão | ESD |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMDPB95XNE2XQuantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)
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