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Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transístor | P-MOSFET | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -30V | |
Corrente de dreno | -2,7A | |
Corrente de dreno em impulso | -17A | |
Caixa | SOT23, TO236AB | |
Resistência no estado de condução | 67mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 19,2nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | logic level | |
Versão | ESD |