Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS6J11TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS6J11TR
Availability: OutOfStock

QS6J11TR

Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 0.74 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 0.74 USD

Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 0.50 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 0.50 USD

Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 0.35 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 0.35 USD

Preço líquido para as quantidades de 500 itens - 0.29 USDPreço bruto para as quantidades de 500 itens - 0.29 USD

Preço líquido para as quantidades de 1000 itens - 0.26 USDPreço bruto para as quantidades de 1000 itens - 0.26 USD

Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.24 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.24 USD

Preço líquido para as quantidades de 6000 itens - 0.22 USDPreço bruto para as quantidades de 6000 itens - 0.22 USD

Preço líquido para as quantidades de 9000 itens - 0.21 USDPreço bruto para as quantidades de 9000 itens - 0.21 USD

Preço líquido para as quantidades de 15000 itens - 0.21 USDPreço bruto para as quantidades de 15000 itens - 0.21 USD

Preço líquido para as quantidades de 21000 itens - 0.20 USDPreço bruto para as quantidades de 21000 itens - 0.20 USD

Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor	P-MOSFET x2
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	-12V
Corrente de dreno	-2A
Corrente de dreno em impulso	-8A
Potência dissipada	1,25W
Caixa	TSMT6
Tensão descarga-fonte	±10V
Resistência no estado de condução	0,4Ω
Montagem	SMD
Carga da porta	6,5nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido
Versão	ESD

QS6J11TR

Transístor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2A; Idm: -8A; 1,25W; TSMT6