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QS8J4TR

Transístor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1,5W; TSMT8

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
QS8J4TR
Símbolo TME:
QS8J4TR

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
P-MOSFET x2
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
-30V
Corrente de dreno
-4A
Corrente de dreno em impulso
-16A
Potência dissipada
1,5W
Caixa
TSMT8
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
84mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
8,4nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Versão
ESD
Peso bruto0.1 g
Certificados

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Preço líquido para as quantidades de 15000 itens - 0.32 USDPreço bruto para as quantidades de 15000 itens - 0.32 USD
Preço líquido para as quantidades de 21000 itens - 0.32 USDPreço bruto para as quantidades de 21000 itens - 0.32 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 3 000)