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RF4E110GNTR

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 44A; 2W; DFN2020-8S

Família de produtos

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
RF4E110GNTR
Símbolo TME:
RF4E110GNTR

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
30V
Corrente de dreno
11A
Corrente de dreno em impulso
44A
Potência dissipada
2W
Caixa
DFN2020-8S
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
11,3mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
7,4nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados

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RF4E110GNTR
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