RQ3E080BNTB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E080BNTB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RQ3E080BNTB
Availability: OutOfStock

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; 14W; HSMT8

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:

RQ3E080BNTB

Símbolo TME:

RQ3E080BNTB

Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 0.64 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 0.64 USD

Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 0.40 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 0.40 USD

Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 0.26 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 0.26 USD

Preço líquido para as quantidades de 500 itens - 0.20 USDPreço bruto para as quantidades de 500 itens - 0.20 USD

Preço líquido para as quantidades de 1000 itens - 0.18 USDPreço bruto para as quantidades de 1000 itens - 0.18 USD

Preço líquido para as quantidades de 3000 itens - 0.16 USDPreço bruto para as quantidades de 3000 itens - 0.16 USD

Preço líquido para as quantidades de 6000 itens - 0.15 USDPreço bruto para as quantidades de 6000 itens - 0.15 USD

Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)

Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor	N-MOSFET
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	30V
Corrente de dreno	5A
Corrente de dreno em impulso	32A
Potência dissipada	14W
Caixa	HSMT8
Tensão descarga-fonte	±20V
Resistência no estado de condução	22mΩ
Montagem	SMD
Carga da porta	14,5nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido