SCT018H65G3AG
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
SCT018H65G3AG
Símbolo TME:
SCT018H65G3AG
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 650V | |
Corrente de dreno | 55A | |
Corrente de dreno em impulso | 312A | |
Potência dissipada | 385W | |
Caixa | H2PAK7 | |
Tensão descarga-fonte | -10...22V | |
Resistência no estado de condução | 27mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 79,4nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SCT018H65G3AGQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 18.07 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 18.07 USD