SCT018W65G3-4AG
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
SCT018W65G3-4AG
Símbolo TME:
SCT018W65G3-4AG
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 650V | |
Corrente de dreno | 55A | |
Corrente de dreno em impulso | 323A | |
Potência dissipada | 398W | |
Caixa | HIP247-4 | |
Tensão descarga-fonte | -10...22V | |
Resistência no estado de condução | 27mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 77nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin | |
Aplicação | sector automóvel |
Peso bruto5 g
Certificados
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* SCT018W65G3-4AGQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 20.22 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 20.22 USD