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Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 650V | |
Corrente de dreno | 60A | |
Corrente de dreno em impulso | 264A | |
Potência dissipada | 313W | |
Caixa | HIP247-4 | |
Tensão descarga-fonte | -10...22V | |
Resistência no estado de condução | 39,3mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 51nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin | |
Aplicação | sector automóvel |