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SCT040H65G3AG

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W


Fabricante: STMicroelectronics

Referência do Fabricante:
SCT040H65G3AG
Símbolo TME:
SCT040H65G3AG

Especificação

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
30A
Corrente de dreno em impulso
160A
Potência dissipada
221W
Caixa
H2PAK7
Tensão descarga-fonte
-10...22V
Resistência no estado de condução
63mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
39,5nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Peso bruto1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD STMicroelectronics,
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SCT040H65G3AG
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Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 9.12 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 9.12 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 8.81 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 8.81 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.