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SCT1000N170

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 7A; Idm: 20A; 96W

Fabricante: STMicroelectronics

Referência do Fabricante:
SCT1000N170
Símbolo TME:
SCT1000N170

Especificação

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,7kV
Corrente de dreno
7A
Corrente de dreno em impulso
20A
Potência dissipada
96W
Caixa
HIP247™
Tensão descarga-fonte
-10...22V
Resistência no estado de condução
1,3Ω
Montagem
THT
Carga da porta
13,3nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto5.3 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT STMicroelectronics,
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SCT1000N170
23 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 8.77 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 8.77 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 7.82 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 7.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 7.24 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 7.24 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 6.99 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 6.99 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens