SCT10N120
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 12A; Idm: 24A; 150W
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
SCT10N120
Símbolo TME:
SCT10N120
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 12A | |
Corrente de dreno em impulso | 24A | |
Potência dissipada | 150W | |
Caixa | HIP247™ | |
Tensão descarga-fonte | -10...25V | |
Resistência no estado de condução | 690mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 22nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto5.285 g
Certificados
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Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens