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SCT3017ALGC11

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W


Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
SCT3017ALGC11
Símbolo TME:
SCT3017ALGC11

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
118A
Corrente de dreno em impulso
295A
Potência dissipada
428W
Caixa
TO247
Tensão descarga-fonte
-4...22V
Resistência no estado de condução
22,1mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
172nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto3 g
Certificados
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SCT3017ALGC11
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