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Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor	N-MOSFET
Tecnologia	SiC
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	650V
Corrente de dreno	70A
Corrente de dreno em impulso	175A
Potência dissipada	262W
Caixa	TO247
Tensão descarga-fonte	-4...22V
Resistência no estado de condução	39mΩ
Montagem	THT
Carga da porta	104nC
Espécie de embalagem	tubo
Espécie de canal	enriquecido

SCT3030ALGC11

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W

Especificação