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SCT3060ALGC11

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247

Família de produtos

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
SCT3060ALGC11
Símbolo TME:
SCT3060ALGC11

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
39A
Potência dissipada
165W
Caixa
TO247
Resistência no estado de condução
60mΩ
Montagem
THT
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto5 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT ROHM SEMICONDUCTOR,
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SCT3060ALGC11
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