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SCT3120ALGC11

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247

Família de produtos

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
SCT3120ALGC11
Símbolo TME:
SCT3120ALGC11

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
21A
Corrente de dreno em impulso
52A
Potência dissipada
103W
Caixa
TO247
Tensão descarga-fonte
-4...22V
Resistência no estado de condução
156mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
38nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto3 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT ROHM SEMICONDUCTOR,
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SCT3120ALGC11
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 9.49 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 9.49 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 8.83 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 8.83 USD
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 8.15 USDPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 8.15 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 7.78 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 7.78 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.